X射線輻(fu)照儀是(shi)在某壹(yi)預定(ding)的(de)時(shi)間段(duan)內(nei)通(tong)過較(jiao)高能量的具有(you)電離輻射效(xiao)應的射(she)線照射生(sheng)物體(ti),產(chan)生(sheng)電離和激(ji)發,釋(shi)放(fang)出軌(gui)道電子,形(xing)成(cheng)自(zi)由基(ji),從而(er)使被(bei)照射的生(sheng)物體(ti)產(chan)生(sheng)生(sheng)物效(xiao)應或受到(dao)不可恢復(fu)的(de)損傷(shang)和破壞(huai),達(da)到(dao)生(sheng)物學的(de)目的。
X射(she)線輻(fu)照儀通(tong)過人(ren)工電子裝置(zhi)產生(sheng)的高能X射(she)線(160kV-350kV)對(dui)細(xi)胞或小動物(清醒(xing)狀態和(he)麻醉(zui)狀態)進行照射,從而(er)用於幹(gan)細(xi)胞(骨髓移植及分(fen)化,飼(si)養(yang)層(ceng)細(xi)胞制備、細(xi)胞誘變等(deng))、DNA損傷(shang)、Cellcycle、細(xi)胞培養、血(xue)制品(pin)照射、腫瘤、信(xin)號轉(zhuan)導、免疫(yi)、基(ji)因(yin)治(zhi)療(liao)、放(fang)射生(sheng)物學、藥(yao)物研發(fa)等(deng)生(sheng)物學輻(fu)照研究。具(ju)有安(an)全(quan)性高、使用方便、可在普(pu)通(tong)實驗(yan)室環(huan)境(jing)下使用等(deng)優點(dian)。
在放(fang)射治(zhi)療(liao)應(ying)用中,通(tong)常利用的(de)X射(she)線能量範圍為90-300kV。50-150kV被(bei)稱為淺(qian)表(biao)X射(she)線,超(chao)過90%的入(ru)射(she)劑(ji)量造成(cheng)的(de)損傷(shang)集(ji)中在表面(mian)以(yi)下5mm深度(du)內(nei),通(tong)常用於治(zhi)療(liao)皮(pi)下腫瘤;而200-500kV被(bei)稱為中電壓X射線,超(chao)過90%的劑(ji)量集(ji)中在表面(mian)以(yi)下2cm的深(shen)度(du)內(nei),通(tong)常用於深部腫瘤的治(zhi)療(liao)。
對(dui)於X射線輻(fu)照儀,160kV型適用於細(xi)胞、細(xi)菌等(deng)及小(xiao)鼠淺層(ceng)照射,225kV型適(shi)用於細(xi)胞、細(xi)菌和(he)組織器官的(de)照射,也可用於小鼠大鼠(shu)的(de)照射,320kV型是(shi)理(li)想(xiang)的(de)小動物照射應用工具,即(ji)可對(dui)小(xiao)鼠(shu)進行照射也可用於大鼠。
X射線輻(fu)照儀除用於小動物輻照,還可用於:
1.幹(gan)細(xi)胞:骨髓消(xiao)融與移植等(deng);
2.免疫(yi)學(xue):如(ru):細(xi)胞培養與分裂抑制研(yan)究(jiu)、T/B細(xi)胞的研究和(he)血(xue)液(ye)細(xi)胞、移植免疫(yi)、免疫(yi)抑制治(zhi)療(liao)等(deng);
3.細(xi)胞水平:細(xi)胞雕(diao)亡或老(lao)化(hua),信(xin)號轉(zhuan)導,激(ji)活位點或因(yin)子;
4.基因(yin)組學:基因(yin)穩(wen)定性(xing)研(yan)究(jiu)、DNA損傷(shang);
5.癌(ai)癥生(sheng)物學:癌(ai)癥幹(gan)細(xi)胞,腫瘤照射,放(fang)療致(zhi)死劑(ji)量研究等(deng);
6.微(wei)生(sheng)物學:微(wei)生(sheng)物免疫(yi)、微(wei)生(sheng)物DNA損傷(shang)研究、微(wei)生(sheng)物抗(kang)輻(fu)射研究、微(wei)生(sheng)物致弱與滅活等(deng);
7.飼(si)養(yang)層(ceng)細(xi)胞制備;
8.昆蟲(chong)絕(jue)育(yu)技術(shu)(SIT);
9.誘(you)變(bian)育(yu)種;
10.食(shi)品(pin)輻照;
11.X射線輻(fu)照儀藥(yao)物研究(jiu):抗(kang)輻(fu)射藥(yao)物、輻射(she)增(zeng)敏藥(yao)物等(deng)。