X射(she)線(xian)衍射(she)儀(yi)是主(zhu)要(yao)用(yong)來(lai)分析x射(she)線(xian)的儀(yi)器(qi),給我(wo)們(men)具(ju)體的的實驗(yan)和(he)分(fen)析數據(ju),幫(bang)助(zhu)我們了(le)解(jie)物質(zhi)的特性和(he)射(she)線(xian)的走(zou)向。我們(men)用它(ta)主(zhu)要(yao)是(shi)分(fen)析物質(zhi)成分(fen)和(he)元(yuan)素(su)特(te)性(xing)。結晶度(du)用(yong)來(lai)表示聚(ju)合物中結晶區(qu)域(yu)所占(zhan)的比例,聚(ju)合物結晶度(du)變(bian)化的範圍(wei)很寬(kuan),壹(yi)般(ban)從30%~80%。而我們研(yan)究物質(zhi)的結晶度(du)是(shi)為(wei)了(le)確定物質(zhi)的結構組(zu)成和(he)分(fen)子排(pai)列(lie)。
X射(she)線(xian)衍射(she)儀(yi)采用θ/2θ掃(sao)描(miao)方式,X射(she)線(xian)光管固定(ding),可以(yi)顯著提(ti)高(gao)衍射(she)儀(yi)的穩(wen)定(ding)性,樣品臺(tai)與探(tan)測(ce)器(qi)采用θ/2θ掃(sao)描(miao)方式滿(man)足(zu)多(duo)功能(neng)的分析測(ce)試(shi)的要求(qiu);衍射(she)儀(yi)的整體配置(zhi)技(ji)術z為(wei)成熟(shu),穩(wen)定(ding)性較(jiao)高(gao),維(wei)護費(fei)用(yong)z低。
1.該衍射(she)儀(yi)采用的高(gao)壓(ya)發(fa)生器(qi)為(wei)可控矽(gui)高(gao)壓(ya)發(fa)生器(qi),該高(gao)壓(ya)發(fa)生器(qi)具(ju)有(you)較(jiao)強(qiang)的抗(kang)電(dian)流(liu)尖(jian)峰(feng)幹(gan)擾的能力;
2.獨立的X射(she)線(xian)光管控制系統(tong),僅在(zai)測(ce)試(shi)過程(cheng)中(zhong)產(chan)生高(gao)壓(ya),提(ti)高(gao)光管(guan)使(shi)用壽命的同(tong)時(shi),也(ye)降(jiang)低(di)了(le)操(cao)作(zuo)人員接觸X射(she)線(xian)輻照(zhao)的幾率(lv);.
3.該衍射(she)儀(yi)具(ju)有(you)標配(pei)的測(ce)角儀(yi)回擺功能(neng),其(qi)他(ta)品牌(pai)通(tong)常(chang)為(wei)選配(pei)功能(neng)。
X射(she)線(xian)衍射(she)儀(yi)主(zhu)要(yao)部件(jian)包括(kuo)4部分:
(1)高(gao)穩(wen)定(ding)度X射(she)線(xian)源提(ti)供測(ce)量所需(xu)的X射(she)線(xian),改變X射(she)線(xian)管陽極靶材(cai)質(zhi)可(ke)改變X射(she)線(xian)的波長,調(tiao)節(jie)陽(yang)極電(dian)壓(ya)可(ke)控制X射(she)線(xian)源的強(qiang)度(du)。
(2)樣品及(ji)樣品位置(zhi)取向的調(tiao)整機構(gou)系(xi)統(tong)樣品須(xu)是(shi)單(dan)晶(jing)、粉末(mo)、多(duo)晶(jing)或微晶(jing)的固體塊。
(3)檢(jian)測(ce)衍射(she)強(qiang)度(du)或(huo)同(tong)時(shi)檢測(ce)衍射(she)方向,通過儀(yi)器(qi)測(ce)量記錄(lu)系統(tong)或計(ji)算機處(chu)理系統(tong)可以(yi)得到多(duo)晶(jing)衍射(she)圖譜(pu)數據(ju)。
4)衍射(she)圖的處理分析系統(tong)都(dou)附(fu)帶安(an)裝有(you)衍射(she)圖處(chu)理分(fen)析軟件(jian)的計(ji)算機系(xi)統(tong),它們(men)的特點(dian)是(shi)自(zi)動(dong)化和(he)智(zhi)能(neng)化。