X射(she)線同無(wu)線電波(bo)、可(ke)見光、紫外(wai)線等壹(yi)樣(yang),本(ben)質上(shang)都(dou)屬於(yu)電磁波(bo),只是彼此(ci)之(zhi)間占據不(bu)同的波(bo)長(chang)範(fan)圍而已。X射(she)線的波(bo)長(chang)較(jiao)短(duan),大約在(zai)10-8~10-10cm之(zhi)間。X射(she)線分(fen)析儀器(qi)上(shang)通常使用的X射(she)線源是(shi)X射(she)線管,這(zhe)是(shi)壹種裝有陰(yin)陽(yang)極的真空(kong)封閉管,在(zai)管(guan)子兩(liang)極間加上(shang)高電壓,陰(yin)極(ji)就會發射(she)出(chu)高(gao)速電子流撞(zhuang)擊金屬陽極(ji)靶,從(cong)而(er)產生X射(she)線。當X射(she)線照射(she)到晶體(ti)物(wu)質上(shang),由(you)於(yu)晶體(ti)是由(you)原(yuan)子(zi)規(gui)則(ze)排列成(cheng)的晶胞(bao)組成(cheng),這些規則(ze)排列的原(yuan)子(zi)間距離與(yu)入(ru)射(she)X射(she)線波(bo)長(chang)有相同數量級(ji),故(gu)由(you)不同原(yuan)子(zi)散射(she)的X射(she)線相互(hu)幹(gan)涉(she),在某(mou)些特(te)殊(shu)方(fang)向上(shang)產生強X射(she)線衍射(she),衍射(she)線在空(kong)間分(fen)布(bu)的方(fang)位和(he)強度(du),與(yu)晶體(ti)結構(gou)密(mi)切(qie)相(xiang)關(guan)不(bu)同的晶體(ti)物(wu)質具有自己*的衍(yan)射(she)樣(yang),這就(jiu)是(shi)X射(she)線衍射(she)的基本(ben)原(yuan)理(li)。
X射(she)線衍射(she)儀通過對(dui)材料(liao)進行(xing)X射(she)線衍射(she),分(fen)析其(qi)衍射(she)圖譜(pu),獲(huo)得(de)材(cai)料(liao)的成(cheng)分(fen)、材料(liao)內部(bu)原(yuan)子(zi)或(huo)分(fen)子的結構(gou)或(huo)形(xing)態(tai)等(deng)信(xin)息(xi)的研(yan)究手段。X射(she)線衍射(she)分(fen)析法(fa)是研(yan)究物(wu)質的物(wu)相和(he)晶體(ti)結構(gou)的主(zhu)要(yao)方(fang)法。當(dang)某物(wu)質(晶體(ti)或(huo)非(fei)晶體(ti))進行(xing)衍射(she)分(fen)析時(shi),該物(wu)質被(bei)X射(she)線照射(she)產生(sheng)不同程度(du)的衍(yan)射(she)現象(xiang),物(wu)質組成(cheng)、晶型、分(fen)子內(nei)成(cheng)鍵方(fang)式、分(fen)子的構(gou)型、構(gou)象(xiang)等(deng)決(jue)定(ding)該物(wu)質產(chan)生*的衍(yan)射(she)圖譜(pu)。X射(she)線衍射(she)方(fang)法具有不損(sun)傷樣(yang)品、無(wu)汙染(ran)、快(kuai)捷(jie)、測(ce)量精(jing)度(du)高(gao)、能(neng)得(de)到(dao)有關(guan)晶體(ti)完整(zheng)性的大量(liang)信息等優點。因(yin)此(ci),X射(she)線衍射(she)分(fen)析法(fa)作為材料結構(gou)和(he)成(cheng)分(fen)分(fen)析的壹(yi)種(zhong)現代科(ke)學方(fang)法,已(yi)逐步(bu)在(zai)各學科(ke)研(yan)究和生產中廣(guang)泛應用。
X射(she)線衍射(she)儀技術(shu)(XRD)註(zhu)意(yi)事(shi)項
(1)固體樣(yang)品表(biao)面(mian)>10×10mm,厚(hou)度(du)在(zai)5μm以上(shang),表面(mian)必(bi)須平整,可(ke)以用幾塊粘貼壹起(qi)。
(2)對(dui)於(yu)片狀(zhuang)、圓(yuan)拄狀(zhuang)樣(yang)品會存在嚴(yan)重(zhong)的擇(ze)優取向,衍(yan)射(she)強度(du)異(yi)常,需提(ti)供(gong)測(ce)試方(fang)向。
(3)對(dui)於(yu)測(ce)量金屬樣(yang)品的微(wei)觀(guan)應(ying)力(晶格畸(ji)變(bian)),測(ce)量殘余(yu)奧(ao)氏體,要求制(zhi)備成(cheng)金相(xiang)樣(yang)品,並(bing)進行(xing)普通拋(pao)光或(huo)電(dian)解(jie)拋光(guang),消除(chu)表面(mian)應(ying)變層。
(4)粉末(mo)樣(yang)品要(yao)求(qiu)磨(mo)成(cheng)320目(mu)的粒(li)度(du),直(zhi)徑約40微(wei)米,重(zhong)量(liang)大於(yu)5g。